Pamięć flash

Szybsze i pojemniejsze pamięci Intela

przeczytasz w 2 min.

Intel wraz z firmą Micron zapowiedziały pierwszą na świecie 25-nanometrową technologię NAND, która umożliwi zwiększenie pojemności pamięci w takich urządzeniach jak smartfony, odtwarzacze MP3 oraz wprowadzenie bardzo wydajnych dysków SSD.

Pamięć NAND flash służy do przechowywania treści w urządzeniach elektroniki użytkowej. Zachowuje informacje nawet po wyłączeniu zasilania. Przejście na niższy wymiar technologiczny przełoży się na dalszy rozwój i nowe zastosowania technologii NAND. Proces 25-nanometrowy to nie tylko najmniejsza technologia NAND, ale najmniejsza technologia półprzewodnikowa na świecie — osiągnięcie, które pozwoli przechowywać więcej muzyki, wideo i innych danych we współczesnych urządzeniach elektronicznych i komputerowych.

25-nanometrowy proces technologiczny opracowany przez IM Flash Technologies (IMFT), spółkę firm Intel i Micron, pozwala uzyskać 8 gigabajtów (GB) pamięci w pojedynczym urządzeniu NAND, zapewniaja więc więcej miejsca na dane w niewielkich gadżetach konsumenckich. Pamięć mierzy zaledwie 167 mm2 — mieści się w otworze płyty CD, a mimo to zawiera 10 razy więcej danych (standardowa płyta CD ma pojemność 700 megabajtów).

25nm IMFT 2-bit MLC NAND Flash, 8GB, 167mm2

Dzięki badaniom pamięci NAND firmy Intel i Micron podwajają gęstość NAND mniej więcej co 18 miesięcy, co prowadzi do tańszych, wydajniejszych i pojemniejszych rozwiązań. Intel i Micron założyły IMFT w 2006 roku, zaczynając produkcję od procesu 50-nanometrowego, po czym w 2008 roku przeszły na technologię 34-nanometrową. Rozpoczęcie produkcji w procesie 25-nanometrowym oznacza, że obie firmy jeszcze bardziej dystansują konkurentów, wprowadzając najmniejszą litografię półprzewodnikową, jaka jest dostępna w branży.

25-nanometrowe urządzenie NAND o pojemności 8 GB jest już dostępne w postaci próbek inżynierskich i ma wejść do masowej produkcji w drugim kwartale 2010 roku. Oferuje najwyższą gęstość pamięci w pojedynczej kości multi-level cell (MLC) z dwoma bitami na komórkę i mieści się w standardowej obudowie thin small-outline package (TSOP). Aby zwiększyć pojemność pamięci, można w jednej obudowie ułożyć wiele urządzeń 8 GB jedno na drugim.

Nowe 8-gigabajtowe urządzenie zmniejsza liczbę układów o 50 procent w porównaniu z poprzednimi generacjami technologicznymi, co przekłada się na mniejsze, bardziej zagęszczone konstrukcje i oszczędność kosztów. Na przykład dysk SSD o pojemności 256 GB można teraz zbudować z 32 takich urządzeń (poprzednio 64), w smartfonie o pojemności 32 GB wystarczy zastosować cztery, a w karcie pamięci o pojemności 16 GB — zaledwie dwa.

Źródło: Intel, Micron

Komentarze

22
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    mrcezar
    0
    Sukces spory, ale skoro osiągnęliśmy kres możliwości przy 25nm to co będzie dalej...?
    • avatar
      Warmonger
      0
      Bardzo ładny artykuł propagandowy (bo reklamą bym tego nie nazwał). Jedyne, co wyniosłem z jego lektury to fakt, że możemy się spodziewać większych pamięci Flash / SSD za pół roku. To raczej nieszczególnie odkrywcze.
      • avatar
        ElFi_
        0
        W moim (obu) Kingstonie SSD 40GB są kostki wykonane w procesie 34nm i też mają po 8GB, o co tu chodzi? Nic się nie zmieniło?
        • avatar
          Konto usunięte
          0
          To nie jest żadny kres możliwości. Czytałem kiedyś tam na nvision.pl że naukowcy juz inna technologie wynalezli
          • avatar
            COD418
            0
            Ja tam czytałem że te ramy Intela to grzejniki ogromne.

            Witaj!

            Niedługo wyłaczymy stare logowanie.
            Logowanie będzie możliwe tylko przez 1Login.

            Połącz konto już teraz.

            Zaloguj przez 1Login