Pamięć RAM

Samsung prezentuje nową generacją pamięci DDR3

przeczytasz w 1 min.

Firma Samsung poinformowała, że udało się jej wyprodukować 2-gigabitowy układ pamięci DRAM DDR3, wykonany w technologii 30 nm.  

Według przedstawicieli koncernu, nowy proces technologiczny umożliwia 60-procentowy wzrost wydajności produkcji, w porównaniu do pamięci 40 nm, umożliwiając jednocześnie zmniejszenie jej kosztów, co w efekcie powinno spowodować spadek cenach  w sklepach. Kości pamięci produkowane w 30 nm procesie technologicznym umożliwiają również zmniejszenie zużycia prądu i to o ok. 30% w porównaniu do starszych rozwiązań (wykonanych w procesie 50 nm).

Firma marzy o wykorzystaniu nowych chipów w szerokich zastosowaniach, od komputerów PC do ultra przenośnych urządzeń. Produkt wejdzie do produkcji w drugiej połowie roku.

Źródło: tcmagazine.com

Komentarze

10
Zaloguj się, aby skomentować
avatar
Komentowanie dostępne jest tylko dla zarejestrowanych użytkowników serwisu.
  • avatar
    19arek93
    0
    Dla kart to już trochę za późno. Jednak w telefonach pewnie będzie to miało "branie".
    • avatar
      Konto usunięte
      0
      no nareszcie coś się ruszyło z pamięciami
      • avatar
        Warmonger
        0
        Technologia, owszem, imponująca, ale za ponad pół roku moglibyśmy takiej właśnie wydajności oczekiwać.
        • avatar
          Stalkerxx
          0
          Bandyto3xx, proszę informuj, które newsy piszesz. Ja tego newsa dziś zarezerwowałem i napisałem, jak się okazało bez sensu.
          Oto link: http://www.benchmark.pl/phpBB3/viewtopic.php?f=3&t=1755&p=120105#p120105

          Witaj!

          Niedługo wyłaczymy stare logowanie.
          Logowanie będzie możliwe tylko przez 1Login.

          Połącz konto już teraz.

          Zaloguj przez 1Login